车用碳化硅业务火热,安森美碳化硅收入同比增长近4倍!
时间:2023-08-02 21:03:30来源:面包芯语

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文

安森美首席执行官表示,随着投资者的涌入,对碳化硅的需求激增。虽然芯片制造商、内存供应商和晶圆厂都在哀叹需求放缓、库存过剩,但在半导体行业中,有一个领域似乎比大多数领域更能经受住这场风暴的考验:车用碳化硅(SiC)功率半导体。对此,英国媒体theregister做了分析。


(资料图片)

在本周一与分析师进行的第二季度财报电话会议上,总部位于美国的安森美半导体公布其利润为5.76亿美元,同比增长26%,收入为20.9亿美元。不过,尽管该公司第二季度销售额总体上不突出,较上年同期增长了约1000万美元,但该公司称,第二季度碳化硅组件的收入较上年同期增长了四倍。

在与华尔街的电话会议上,首席执行官Hassane El-Khoury开玩笑说道:“我们的全球团队正火力全开,好吧,也许我应该开始说他们现在正转动所有的发动机。仅在第二季度我们就签署了超过30亿美元的新碳化硅长期服务协议(LTS)。”

El-Khoury说,汽车行业已经是公司最大的客户群之一,目前占安森美碳化硅销售额的90%。第二季度的新客户有Vitesco、博格华纳(BorgWarner)和麦格纳(Magna),他们都在面向电动汽车生产商的产品中使用了该公司生产的碳化硅芯片。

碳化硅芯片已成为汽车制造商的热门选择,因为他们正努力实现汽车的电气化。在电动汽车常用的高电压下,碳化硅效率更高。因此,电动汽车中使用的牵引逆变器和DC-to-DC变换器中,SiC越来越常见。根据芯片制造商的说法,效率提高还可以降低重量,减少电池磨损,并为使用该技术的电动汽车提供更长的续航里程。

碳化硅也应用于汽车领域之外。在汽车行业之外也有应用。这些部件也非常适合太阳能电力系统、储能技术、电动机和电源中使用的电源电路。然而,El-Khoury在电话会议上告诉分析师,非汽车市场仅占安森美碳化硅销售额的10%左右。

并非唯一

展望未来,安森美对半导体市场前景持谨慎乐观态度,预计第三季度营收将达到20-21.9亿美元,而这主要受汽车需求的影响。

然而,安森美远非唯一一家希望从全球道路运输汽车电气化中获利的半导体公司。这个市场机遇非常诱人,因此投资者纷纷向研发碳化硅电路的芯片公司投资数十亿美元。

就在上个月,总部位于北卡罗来纳州的Wolfspeed公司宣布从阿波罗公司(Apollo)旗下的一个投资集团处获得12.5亿美元的担保票据融资,并有可能再获得7.5亿美元。Wolfspeed公司还生产使用碳化硅和氮化镓的零部件。

与此同时,德国和荷兰的芯片制造商竞争对手也宣布对该技术进行重大投资。早在4月份,德国制造业巨头博世就透露了收购加州TSI半导体公司的计划。根据协议,这家德国企业集团将向TSI位于加州罗斯维尔的工厂投资15亿美元,对其重组,以生产200mm晶圆上的碳化硅组件。

与此同时,为特斯拉生产零部件的意法半导体也在扩大碳化硅的生产,今年1月份,其宣布将把芯片生产转入内部。在上周举行的公司第二季度财报电话会议上,首席执行官Jean-Marc Chery表示,他预计,到本十年末,碳化硅集成电路的年收入将超过50亿美元。

来源:集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察(重点企业或园区)

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